刘明(院士)

简介: 刘明(1964年4月-),出生于江西丰城,毕业于北京航空航天大学,微电子科学与技术专家,中国科学院院士、发展中国家科学院院士。刘明长期从事半导体存储器和集成电路的微纳加工等方面的研究,代表作有《纳米半导体器件与技术》等,曾获得国家技术发明二等奖、国家科技进步二等奖等奖项。
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刘明(院士)的个人经历

人物经历

1964年4月,刘明出生于江西丰城市,籍贯安徽宿州。

1985年,刘明从合肥工业大学本科毕业,获得学士学位。

1988年,刘明从合肥工业大学硕士研究生毕业,获得硕士学位。

1998年,刘明从北京航空航天大学博士研究生毕业,获得博士学位。

2000年,刘明被聘为中国科学院微电子研究所研究员和纳米加工与新器件集成技术研究室主任。

刘明

2008年,刘明获得国家杰出青年科学基金资助。

2015年7月31日,刘明入选中国科学院院士增选初步候选人名单,12月7日当选中国科学院院士。

2018年1月25日,刘明出任中国科学技术大学国家示范性微电子学院院长,同年当选发展中国家科学院院士。

2021年2月4日,任中芯国际第三类独立非执行董事及战略委员会成员。

主要成就

科研成就

科研综述

刘明阐明了阻变存储器机理,建立了相应的物理模型;提出了功能层掺杂和局域电场增强的阻变存储器性能调控方法,提高存储器整体性能;拓展了新型闪存材料和结构体系,提出新的可靠性表征技术、失效模型和物理机理;发展了集成电路的微纳加工技术并拓展到禁运的短波衍射元件研制中。

刘明在国际上首次采用软X射线曝光技术实现了256位分子存储器;在32nm技术节点以下的非挥发性存储器替代方案上,提出了利用金属掺杂的技术手段来提高阻变存储器(RRAM)性能和成品率的方法,成为国际上最早提出此概念的两个小组之一,在渐进型的非挥发性存储器替代方案上,着眼于纳米晶浮栅存储结构(Nano-Floating Gate)。

学术论著

截至2017年7月,刘明发表SCI收录论文250多篇,SCI他引超过2800次,6篇论文入选ESI高被引论文榜,两项工作列入2013年ITRS(国际半导体发展路线图)、多项工作作为典型进展被写入15本著作和40篇综述中。授权发明专利180件(含美国授权专利7件),主要专利转让/许可到多家重要集成电路企业。

出版日期名称作者出版社
2013.12《纳米半导体器件与技术》(加)KRZYSZTOF INIEWSKI编;刘明,吕杭炳译北京:国防工业出版社
2014.08《新型阻变存储技术》刘明著北京:科学出版社
学术交流

截至2017年7月,刘明在本领域重要国际会议做邀请报告30多次。

时间报告题目
2017-11-14Advanced Semiconductors - Opportunities for Mainland and Hong Kong Collaboration
2017-09-22Resistive Random Access Memory and 3D Integration
2017-08-20High Performance Selector and 3D Integration
2017-04-03Reliability issues on oxide-electrolyte-based RRAM
2016-10-10High performance selector and 3D integration (Invited)
2016-06-073D Vertical Integration of Resistive Switching Memory (Invited)
2016-04-06Characteristics and Mechanism of Multimode Resistive Switching Behaviors in the Oxide-electrolyte-based RRAM (Invited)
2016-03-29Improvement of RRAM performances by inserting graphene layer
2015-10-12Reliability Issues of Oxide Electrolyte Based CBRAM
2015-10-11Impact of filament evolution on reliability issues of oxide electrolyte based conductive bridge random access memory
2015-09-03Characteristics and mechanism of multimode resistive switching behaviors in the oxide-electrolyte-based RRAM
2015-06-28Reliability Issues of Oxide-Electrolyte-Based Conductive Bridge Random Access Memory
2015-06-01A Probe of Reliability Issues of Oxide Electrolyte Based CBRAM
2015-05-17Future of Memory: Application-driven or Technology-driven, which will dominate in the new era of computing
2015-05-04Resistive Switching Characteristics and Mechanism of Oxide-Electrolyte-Based RRAM
承担项目

截至2015年12月,刘明先后主持参与了多项国家973、863项目。

项目时间项目名称备注
2006-01--2011-12分子电子学的基础研究主持,国家级
2008-01--2010-12纳米晶浮栅存储器存储材料及关键技术主持,国家级
2009-01--2011-1232nm新型存储器关键工艺解决方案主持,国家级
2009-01--2012-12纳米加工与新型半导体器件研究主持,国家级
2010-01--2014-08纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究主持,国家级
2013-01--2015-12新型微电子器件集成的基础研究主持,国家级
2014-01--2018-12超高密度存储器三维集成关键技术研究主持,国家级
2014-07--2019-06有机射频电子标签的设计与制备主持,部委级
2015-01--2017-12科技北京百名领军人才主持,省级
2016-01--2018-12新型微电子器件集成的基础研究主持,国家级
2016-08--2021-07三维阻变存储器基础研究主持,部委级
2017-01--2018-12阻变存储器材料与器件研究主持,省级
2017-07--2018-06基于高品质异质结构的信息电子光电器件主持,部委级
科研成果奖励

截至2017年7月,刘明先后获得国家技术发明二等奖3项、国家科技进步二等奖1项、中国电子学会科学技术奖自然科学类一等奖、北京市科学技术一等奖2项、北京市科学技术二等奖2项和中国科学院杰出成就奖等奖项。

获奖时间项目名称奖励名称
2002年0.18um的集成电路工艺技术北京市科学技术二等奖(排名第3)
2003年27nm CMOS器件北京市科学技术一等奖(排名第10)
2005年High Performance 70nm CMOS Devices中国科协期刊第一届优秀论文奖
2005年亚30纳米CMOS器件相关的若干关键工艺技术研究国家技术发明二等奖(排名第四)
2006中高频声表面波关键材料与器件研究省级一等奖
2007年中高频声表面波关键材料及技术研究国家技术发明二等奖(排名第二)
2009年移动通讯用滤波器关键技术及产业化国家科技进步二等奖(排名第四)
2010年微纳结构u2018自上而下u2019制备核心技术与集成应用北京市科学技术一等奖(排名第1)
2013年高精度微纳结构掩模制造核心技术国家技术发明二等奖(排名第一)
2014年阻变存储器及集成的基础研究北京市科学技术二等奖(排名第1)
2014年极大规模集成电路关键技术研究集体中国科学院杰出成就奖(排名第8)
2015年阻变存储器机理与性能调控中国电子学会科学技术奖自然科学类一等奖(排名第一)
2016年氧化物阻变存储器机理与性能调控国家自然科学奖(排名第一)

人才培养

教育思想

刘明提出:导师应首先做到让学生尊重信赖的人,并建议年轻导师保持乐观的生活和工作态度,学高为师,身正为范。

教学成果奖励
时间奖励名称
2011年度中国科学院“优秀研究生指导教师”
2011年度中国科学院“朱李月华优秀教师”

荣誉表彰

时间荣誉/表彰
2012年中国真空学会“中国真空科技成就奖(莱宝奖)”
2015年12月7日中国科学院院士(信息技术科学部)
2017年3月8日中国科学院第五届“十大杰出妇女”荣誉称号
2017年何梁何利基金科学与技术进步奖(电子信息技术奖)
2018年11月28日发展中国家科学院院士

社会任职

时间担任职务
2017年11月—IEEE, Fellow
2016年01月—《the EDS Newsletter》Regional Editor
2016年01月—IEEE EDS Beijing Chapter 主席
2015年01月—国家重点研发计划纳米科技重点专项专家组成员
2014年01月—中国真空学会理事
2013年01月—《中国科学》编委
2011年01月—IEEE Electron Devices Society, Distinguished Lecturer
2011年01月—《Applied Physics A》编辑
2010年12月—无锡华润微电子有限公司掩模工厂技术顾问
2008年06月—中国科学院科学出版社基金
2008年04-月—“纳米科学技术大系”编委会
2007年01月—中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室学术委员会
2006年09月—中国仪器仪表学会微纳器件与系统技术分会,第一届理事会名誉理事长
2002年11月—中国材料研究学会青年委员会
中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室学术委员会委员

人物评价

刘明长期致力于微电子科学技术领域的研究,在存储器模型机理、材料结构、核心共性技术和集成电路的微纳加工等方面做出了系统、创造性贡献。她建立了阻变存储器(RRAM)物理模型,提出并实现高性能RRAM和集成的基础理论和关键技术方法,产生重要国际影响。(中国科学技术大学国家示范性微电子学院评)

更新日期:2024-04-28