胡正明1947年在北京出生，先后在中国台湾和美国的高校就读，是微电子微型化和可靠性领域的主要开拓者。

胡正明是加利福尼亚大学伯克利分校电气工程和计算机科学教授，1997年当选美国国家工程院院士，2015年12月当选美国国家发明家科学院院士。

胡正明教授是微电子微型化物理及可靠性物理研究的一位重要开拓者，对半导体器件的开发及未来的微型化做出了重大贡献。

主要科技成就为：领导研究出BSIM，从实际MOSFET晶体管的复杂物理推演出数学模型，该数学模型于1997年被国际上38家大公司参与的晶体管模型理事会选为设计芯片的第一个且唯一的国际标准；发明了在国际上极受注目的FinFET等多种新结构器件；对微电子器件可靠性物理研究贡献突出：首先提出热电子失效的物理机制，开发出用碰撞电离电流快速预测器件寿命的方法，并且提出薄氧化层失效的物理机制和用高电压快速预测薄氧化层寿命的方法。首创了在器件可靠性物理的基础上的IC可靠性的计算机数值模拟工具。

1985年应严东生院士邀请，胡正明等三位美国科学家提出了发展我国微电子科学技术的战略性的重要咨询建议，对当时我国微电子科学技术的发展有较大影响。

1981年以来与电子科技大学、中国科学院微电子所、北京大学、清华大学、复旦大学、浙江大学等校进行合作研究并作学术讲座，协助推动在中国召开国际会议。

1990年在北大与清华设置五名研究生奖学金，并鼓励中国留学生回国发展半导体工业。

克莱加大华裔教授以他领导的柏克莱加大电机系研究小组开发出了目前世界上体积最小，但是通过电流却最大的半导体晶体管。这种新型的晶体管可以使1个电脑芯片的容量比从前提高400倍。

国立台湾大学电机工程学士、柏克莱加大电机及计算机硕士、博士；美国麻省理工学院电机及计算机系教授、美国国家工程院院士、柏克莱加州大学校长讲座教授、TSMC杰出讲座教授、国立交通大学名誉教授、IEEE Fellow、北京清华大学名誉教授、中华民国国科会第一届杰出讲座、柏克莱加州大学杰出教学奖等。

胡正明在学术领域屡创高峰，在电晶体尺寸及性能研发上屡次创新世界纪录，也为积体电路设计订定出第一个国际标准电晶体模型。他拥有美国专利逾百项，期刊及会议文献发表约八百件。

2015年12月22日，美国白宫公布了2015年度美国最高科技奖项获得者名单，美籍华人科学家胡正明获得国家技术和创新奖获。

2016年5月，胡正明获美国国家科学奖章，美国总统奥巴马在白宫为获奖者颁发美国国家科学奖章。