1992年7月毕业于安徽大学物理系，获物理学专业理学学士学位，并被免试推荐为安徽大学和日本崎玉工业大学联合培养硕士研究生。

1995年5月赴日本崎玉工业大学电子工学系学习。

1996年8月获得理论物理专业理学硕士学位，并被免试推荐为中国科学院上海硅酸盐研究所博士研究生。

1998年7月获得无机非金属材料专业工学博士学位(Dr.Eng.)，同时获中国科学院院长奖优秀奖．

1998 年8 月至2001年1 月在日本电子株式会社（JEOL，东京）技术总括部任博士后工程师，负责X 射线分析装置的研制和开发。

2001 年2月至2004年3月，获丹麦国家科学技术委员会的“半导体量子点”项目的资助，在丹麦技术大学通讯、光学和材料研究中心和哥本哈根大学尼耳斯－波尔研究所,从事半导体量子点的分子束外延生长和光学表征，以及半导体量子点激光器的研制工作。

2004年3 月, 从丹麦技术大学获得光电子学专业哲学博士学位(PhD)．2004 年4 月至9 月，获美国能源部的“半导体材料的X射线分析”的项目资助，在美国佛蒙特大学物理系和布鲁海文国家实验室国家同步辐射光源，研究半导体量子点生长过程中的原位X 射线分析。

2004 年9月至2010年11月任南开大学物理科学学院和泰达应用物理学院教授，组建了纳米光子学实验室（已于2006年5月9日在天津新闻中被介绍过）。

2006年11月 - 2007年1月 日本早稻田大学理工学部，客员研究员

2010年12月 - 2012年3月 南昌航空大学测试与光电工程学院院长，教授。

2012年4月 - 现在 天津工业大学，教授

至今已经在Applied Phyiscs Letters, Journalof Crystal Growth, Journal of Physics: Condensed Matters, Nanotechnology等杂志和国内外学术会议上发表论文40 余篇，申请了日本专利2 项。现主持国家自然科学基金2项，教育部留学回国人员启动基金1项，以及红外物理国家重点实验室开放基金1项，日本丸文国际交流基金1项。

纳米光子学，纳米材料与器件。

1. Zhangcheng Xu, Dan Birkedal, Michael Juhl and Jørn M. Hvam, "Sub-monolayer InGaAs/GaAs quantum-dot lasers with high modal gain and zero line-width enhancement factor", Applied Physics Letters, 85(2004)3259; Selected for inclusion in Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology, October 11, 2004, Volume 7, Issue 23 ( Printed in USA)

在国际上首次研制成功室温下工作的、高增益960nm　InGaAs/GaAs 亚单层量子点激光器．

2. Zhangcheng Xu, Dan Birkedal, Jørn M. Hvam et al., “Structure and Optical Anisotropy of vertically correlated Submonolayer InAs/GaAs Quantum Dots”, Applied Physics Letters, 82(2003)3859; Selected for inclusion in Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology--June 9, 2003, Volume 7, Issue 23 ( Printed in USA)

在国际上首次阐明了亚单层量子点的结构：量子点镶嵌在量子阱中．

3. Zhangcheng Xu, et al., ”Effect of annealing on the structure and optical properties of InGaAs/GaAs quantum dots”, Journal of Crystal Growth, 2003, vol 251/1-4,177(Printed in Netherland)

4. Zhangcheng Xu, et al., ”InGaAs/GaAs Quantum-dot-quantum-well heterostructure formed by Submonolayer Deposition”, Nanotechnology, (2003), 14, 1259( Printed in UK)

5. Zhangcheng Xu, C.L Guo, Z.Y. Zhao, et. al., "The fluorescence emission from perfect GaAs in the Laue case”, Journal of Alloys and Compounds， 286(1999)265 (Printed in Netherland)

6. Zhangcheng Xu, C.L.Guo, Z.Y.Zhao, et. al.,“The relationship of the Poynting vector and the dispersion surface in the Bragg case”, J.Phys:Condens. Matter， letters to the editor 9(1997)L275 ( Printed in UK)

7. Zhangcheng Xu, Z.Y Zhao, C.L.Guo, “The relationship of the Poynting Vector and the dispersion surface in the absorbing crystal”, J.Phys:Condens. Matter 8(1996) 5977 ( Printed in UK)

8. Zhangcheng Xu, Z.Y Zhao, C.L.Guo, et. al. “Bragg Reflection and Transmission induced by the imaginary part of atomic scattering factor”, J.Phys:Condens. Matter 7(1995) 8089 ( Printed in UK)

9.Zhangcheng Xu, C.L.Guo, Z.Y.Zhao,“The relationship between negative extinction and anomalous transmission in the Bragg case”, FIZIKA, A 6(1997), 103 (Printed in Croatia)

10. 徐章程， 郭常霖，赵宗彦等， “原子吸收限附近完整晶体内的能流方向”， 物理学报， 46(1997)2188

11. 徐章程， 郭常霖，赵宗彦等， “吸收限附近GaAs在劳厄情况下的荧光溢出”， 物理学报， 47(1998)0252

12. 徐章程， 郭常霖，赵宗彦等， “测定温度因子的共振X射线动力学衍射法”， 物理学报， 47(1998)1520

13. 徐章程， 郭常霖，赵宗彦等， “吸收限附近非对称反射条件下X射线的异常透射”， 物理学报， 47(1998)1918

14. 徐章程， 郭常霖，黄继颇，赵宗彦等， “用同步辐射X射线反射率法研究薄膜结构”，功能材料与器件学报， 4(1998)273